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电子元器件详细资料 » IC[25902] » NTD5862N-1G
型号:NTD5862N-1G类别:FET - 单制造商:ON Semiconductor
封装:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63描述:MOSFET N-CH 60V 90A DPAK

详细参数

类别FET - 单
描述MOSFET N-CH 60V 90A DPAK
系列-
制造商ON Semiconductor
FET型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点标准
漏极至源极电压(Vdss)60V
电流_连续漏极(Id)0a025000C90A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C5.7 毫欧 @ 45A,10V
Id时的Vgs(th)111最大2224V @ 250µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs82nC @ 10V
输入电容(Ciss)0a0Vds6000pF @ 25V
功率_最大96W
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装DPAK-3
包装管件

供应商

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深圳市金芯阳科技有限公司刘生075584505750
深圳市中新永盛科技有限公司朱小姐0755-83242762 83211840
深圳市世品佳电子有限公司销售部0755-/83218466/83200833
深圳市金亿泰电子有限公司郑086-755-83252273
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